Дом
>
ПРОДУКТЫ
>
Субстрат SiC
>
|
| Место происхождения | Китай |
| Фирменное наименование | ZMSH |
| Сертификация | rohs |
| Номер модели | SIC010 |
От перспективы терминального прикладного уровня, материалы кремниевого карбида имеют широкий диапазон применений в высокоскоростном рельсе, автомобильной электронике, умных решетках, фотовольтайческих инверторах, промышленном электро-механическом, центрах данных, полотняных товарах, бытовой электронике, сообщении 5G, дисплеях следующего поколени, и других полях, с огромным потенциалом рынка.
По отоношению к применению, оно разделено в низшее напряжение, среднее напряжение тока, и высоковольтные поля:
Поле низшего напряжения
Главным образом целящся некоторая бытовая электроника, как PFC и электропитание; Например, Xiaomi и Huawei запускали быстрые заряжатели используя приборы нитрида галлия.
Среднее поле напряжения тока
Главным образом в системах автомобильной электроники и перехода и энергосистемы рельса с напряжением тока сверх 3300V. Например, Tesla было самым предыдущим автомобильным изготовителем для использования приборов кремниевого карбида, используя модельные 3.
В поле средства и низшего напряжения, кремниевый карбид имеет очень зрелые диоды и продукты MOSFET которые повышаются и прикладываются в рынке.
Высоковольтное поле
Кремниевый карбид имеет уникальные преимущества. Но до сих пор, нет освоенного изделия запущенного в высоковольтное поле, и мир в этапе научных исследований и разработки.
Электротранспорты самый лучший сценарий применения для кремниевого карбида. Модуль электрического привода Тойота (компонент ядра электротранспортов) уменьшает том приборов кремниевого карбида 50% или больше сравненных к IGBTs основанному кремнием, и плотность энергии также гораздо выше чем это из кремния основало IGBTs. Это также причина, по которой много изготовителей клонят использовать кремниевый карбид, который может оптимизировать план компонентов в автомобиле и сохранить больше космоса.
Кремниевый карбид неимоверно трудный и разносторонний субстрат, предлагая многочисленные преимущества над традиционными субстратами кремния.
Одно из главных преимуществ кремниевого карбида своя твердость. Thismaterial может возвратить жару от одного пункта к другому колодцу, позволяющ ему улучшить свою электрическую проводимость и включить миниатюризацию в много применений. Вафли кремниевого карбида также имеют низкий коэффициент для теплового расширения, знача они не изменяют значительно в размере или форме по мере того как они нагреты или охлажены. К тому же, субстраты кремниевого карбида сильно устойчивы к термальному удару, и могут изменить температуры быстро без ломать или трескать.
Кремниевый карбид очень прочный материал который не реагирует с кислотами, алкалиами или жидкими солями на температурах до 800°C. Он также силен достаточно безопасно для того чтобы работать на температурах над 1600°C, делая его соответствующим для высокотемпературных применений.
4H-SiC* и 6H-SiC ** имейте различные размеры выстраивая в ряд от 50.8mm (2") до 200mm (8 дюймов). По отношению к типу и dopant, они оба из N/Nitrogen и внутреннеприсущего типа HPSI. 4H-SiC* имеет ряд резистивности 0,015 до 0,028 ohm*cm тогда как 6H-SiC ** имеет гораздо больше резистивность ohm*cm >1E7. Толщина обоих рядов от 250um к 15,000um (15mm) и они оба имеют одиночную/двойную сторону отполированный финиш поверхности. Штабелировать последовательность 4H-SiC* следовать ABCB пока это из 6H-SiC ** следовать ABCACB. Диэлектрическая константа 4H-SiC* 9,6 и это из из 6H-SiC ** 9,66. Как для подвижности электрона, 4H-SiC* имеет счет 800 cm2/V*S пока 6H-SiC ** немножко ниже на 400 cm2/V*S. Последний но не менее важный, их плотности эти же на 3,21 · 103 kg/m3.
Субстрат ZMSH SIC010 SiC плиты высокоточные изготовленные на заказ размера для различных применений. Он сделан материала кремниевого карбида (SiC), с диэлектрической константой 9,7, весьма - низкой шероховатостью поверхности Ra1000MPa<0>, делая его идеальным для польз с весьма точностью и требуя условиям. Он идеален для вырезывания лазера, по мере того как он может поддерживать высокий уровень точности и качества. Это аттестованное RoHS уступчивое и доступно в количествах минимального заказа 10 частей. Цена определена в зависимости от конкретного случая, с изготовленными на заказ пластиковыми коробками для упаковки. Срок поставки 30 дней и оплата принята через T/T. ZMSH может поставить до 1000 частей в месяц.
Изготовление на заказ:Фирменное наименование: ZMSH
Номер модели: SIC010
Место происхождения: КИТАЙ
Аттестация: ROHS
Количество минимального заказа: 10PC
Цена: случаем
Упаковывая детали: Подгонянная пластиковая коробка
Срок поставки: В 30 днях
Условия оплаты: T/T
Способность поставки: 1000PC/month
Dopant: N/A
Материал: Монокристалл SiC
Поверхностная твердость: HV0.3 > 2500
Прочность на растяжение: > 400MPa
Поверхность: CMP Si-стороны; MP C-стороны
Вафли кремниевого карбида, вафли 4H-N SIC, подгонянный размер SiC откалывают
Мы совершены к обеспечивать наших клиентов с самыми лучшими службой технической поддержки и обслуживаниями для продуктов субстрата SiC. Наш знающий штат всегда доступен для того чтобы ответить вопросы и обеспечить наведение. Мы стремимся обеспечить что наши клиенты имеют доступ к самым последним информации и ресурсам, который нужно помочь им в делать информированные решения. Мы также обеспечиваем разнообразие обслуживания, как помощь дизайна, прототипирование, изготовление на заказ, и больше.
Наша команда специалистов всегда доступна обеспечить службу технической поддержки и совет. Мы понимаем важность эксплуатационных характеристик продукта и надежности и будем работать с нашими клиентами для обеспечения что их потребностямы отвечаны. Мы также обеспечиваем обучение и образование на пользе продуктов субстрата SiC.
Мы предназначены к обеспечивать высокий уровень технического обслуживания для наших клиентов. Наша цель убеждаться что наши клиенты имеют положительный опыт и удовлетворяется с нашими продуктами и услуга.
Свяжитесь мы в любое время
